18+

Российские ученые разработали скоростные эластичные элементы памяти

Российские ученые разработали скоростные эластичные элементы памяти
Фото: 310550
1256
0

Специалисты Института физики полупроводников имени Ржанова разработали материал для мемристоров из наночастиц оксида ванадия, покрытых фторированным графеном.

Мемристор представляет собой элемент микроэлектроники, который изменяет уровень сопротивления при прохождении через него электрического заряда разной мощности. При использовании низкого напряжения с него можно считать информацию, записанную более высоким напряжением. При этом циклы смены происходят в очень быстром темпе, в тысячу раз быстрее, чем у повсеместно использующейся флеш-памяти.

Чтобы сделать данный элемент более стойким к большому количеству переключений, российские ученые использовали фторированный графен. Однако у него есть минус в виде сравнительно небольшой разницы токов, которые записывают и считывают данные. Данный показатель повысили с помощью композитных пленок, созданных из упомянутого материала с добавлением наночастиц оксида ванадия.

Мемристоры с помощью разработанного материала будут изготавливаться при помощи 2D принтера. По сравнению с другими представителями гибкой памяти они рекордно устойчивы для перезаписи и выдерживают миллионы циклов подачи тока.

Остается надеяться, что эта разработка сможет ускорить развитие технологий в России. Как сообщалось ранее, оно также может быть подтолкнуто вперед «технологической войной» США и Huawei.

Хотите больше новостей по теме? Кликайте и подписывайтесь на наше издание в Яндексе.

Автор: Виктор Раскольников

Комментарии
ПолитЭксперт